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最新消息 > 全面解析LED的100多種封裝結構形式

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LED封裝技術的要素有三點:封裝結構設計、選用合適封裝材料和工藝水平,目前LED封裝結構形式有100多種,主要的封裝類型有Lamp系列40多種、SMD(chipLED和TOPLED)系列30多種、COB系列30多種、PLCC、大功率封裝、光集成封裝和模塊化封裝等,封裝技術的發展要緊跟和滿足LED應用產品發展的需要。本文引用地址:http:www.eepw.com.cnarticle201808386964.htmLED封裝技術的基本內容LED封裝技術的基本要求是:提高出光效率、高光色性能及器件可靠性。(1)提高出光效率LED封裝的出光效率一般可達80~90%。①選用透明度更好的封裝材料:透明度95%(1mm厚度),折射率大于1.5等。②選用高激發效率、高顯性的熒光粉,顆粒大小適當。③裝片基板(反射杯)要有高反射率,出光率高的光學設計外形。④選用合適的封裝工藝,特別是涂覆工藝。(2)高光色性能LED主要的光色技術參數有:高度、眩光、色溫、顯色性、色容差、光閃爍等。顯色指數CRI70(室外)、80(室外)、90(美術館等)色容差3SDCM5SDCM(全壽命期間)封裝上要采用多基色組合來實現,重點改善LED輻射的光譜量分布SPD,向太陽光的光譜量分布靠近。要重視量子點熒光粉的開發和應用,來實現更好的光色質量。(3)LED器件可靠性LED可靠性包含在不同條件下LED器件性能變化及各種失效模式機理(LED封裝材料退化、綜合應力的影響等),這是主要提到可靠性的表征值壽命,目前LED器件壽命一般為3~5小時,可達5~10萬小時。①選用合適的封裝材料:結合力要大、應力小、匹配好、氣密性好、耐溫、耐濕(低吸水性)、抗紫外光等。②封裝散熱材料:高導熱率和高導電率的基板,高導熱率、高導電率和高強度的固晶材料,應力要小。③合適的封裝工藝:裝片、壓焊、封裝等結合力強,應力要小,結合要匹配。LED光集成封裝技術LED光集成封裝結構現有30多種類型,正逐步走向系統集成封裝,是未來封裝技術的發展方向。(1)COB集成封裝COB集成封裝現有MCOB、COMB、MOFB、MLCOB等30多種封裝結構形式,COB封裝技術日趨成熟,其優點是成本低。COB封裝現占LED光源約40%左右市場,光效達160~178lmw,熱阻可達2℃w,COB封裝是近期LED封裝發展的趨勢。(2)LED晶園級封裝晶園級封裝從外延做成LED器件只要一次劃片,是LED照明光源需求的多系統集成封裝形式,一般襯底采用硅材料,無需固晶和壓焊,并點膠成型,形成系統集成封裝,其優點是可靠性好、成本低,是封裝技術發展方向之一。(3)COF集成封裝COF集成封裝是在柔性基板上大面積組裝中功率LED芯片,它具有高導熱、薄層柔性、成本低、出光均勻、高光效、可彎曲的面光源等優點,可提供線光源、面光源和三維光源的各種LED產品,也可滿足LED現代照明、個性化照明要求,也可作為通用型的封裝組件,市場前景看好。(4)LED模塊化集成封裝模塊化集成封裝一般指將LED芯片、驅動電源、控制部分(含IP地址)、零件等進行系統集成封裝,統稱為LED模塊,具有節約材料、降低成本、可進行標準化生產、維護方便等很多優點,是LED封裝技術發展的方向。(5)覆晶封裝技術覆晶封裝技術是由芯片、襯底、凸塊形成了一個空間,這樣封裝出來的芯片具有體積小、性能高、連線短等優點,采用陶瓷基板、覆晶芯片、共晶工藝、直接壓合等來達到高功率照明性能要求。用金錫合金將芯片壓合在基板上,替代以往的銀膠工藝,直接壓合替代過去回流焊,具有優良的導電效果和導熱面積。該封裝技術是大功率LED封裝的重要發展趨勢。(6)免封裝芯片技術免封裝技術是一個技術的整合,采用倒裝芯片,不用固晶膠、金線和支架是半導體封裝技術70種工藝形成中的一種。PFC免封裝芯片產品的光效可提升至200lmw,發光角度大于300度的超廣角全周光設計,不要使用二次光學透鏡,將減少光效的耗損與降低成本,但要投入昂貴的設備。PFC新產品主打LED照明市場,特別是應用在蠟燭燈上,不僅可以模擬鎢絲燈的造型,同時可以突破散熱體積的限制。(7)LED其他封裝結構形式①EMC封裝結構:是嵌入式集成封裝形式(EmbeddedLEDChip)不會直接看到LED光源。②EMC封裝技術:(EpoxyMoldingCompound)以環氧塑封料為支架的封裝技術,具有高耐熱、高集成度、抗UV、體積小等優點,但氣密性差些,現已批量生產。③COG封裝:(ChipOnGlass)將LED芯片放在玻璃基板上進行封裝。④QFN封裝技術:小間距顯示屏象素單元小于或等于P.1時,所采用的封裝形式,將替代PLCC結構,市場前景看好。⑤3D封裝技術:以三維立體形式進行封裝的技術,正在研發中。⑥功率框架封裝技術:(Chip-in-FramePackage)在小框架上封裝功率LED芯片,產業化光效已達160~170lmw,可達200lmw以上。LED封裝材料LED封裝材料品種很多,而且正在不斷發展,這里只簡要介紹。(1)封裝材料:環氧樹脂、環氧塑封料、硅膠、有機硅塑料等,技術上對折射率、內應力、結合力、氣密性、耐高溫、抗紫外線等有要求。(2)固晶材料:①固晶膠:樹脂類和硅膠類,內部填充金屬及陶瓷材料。②共晶類:AuSn、SnAgSnAgCu。(3)基板材料:銅、鋁等金屬合金材料。①陶瓷材料:Al2O3、AlN、SiC等。②鋁系陶瓷材料:稱為第三代封裝材料AlSiC、AlSi等。③SCB基板材料:多層壓模基板,散熱好(導熱率380wm.k)、成本低。④TES多晶質半導體陶瓷基板,傳熱速度快。(4)散熱材料:銅、鋁等金屬合金材料。石墨烯復合材料,導熱率200~1500wm.k。PCT高溫特種工程塑料(聚對苯二甲酸1,4-環已烷二甲脂),加陶瓷纖,耐高溫、低吸水性。導熱工程塑料:非絕緣型導熱工程塑料,導熱率14wm.k。絕緣型導熱工程塑料,導熱率8wm.k。

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